epi-wafer, GaN
GaN semiconductor fab processing (substrate preparation, MOCVD epitaxy, metallization, lithography — LED-compatible), per 3-inch equivalent, at plant, RER
- Unité de référence
- 1 processed epi-wafer, 3-inch equivalent (≈4560 mm²), ready for die singulation
- Géographie
- RER
- Qualité (TeR;GR;TiR)
- (2;1;2)
- Version
- v0.8.2
30 intrants de ce jeu ne sont pas encore reliés à la base : les résultats ci-dessous sont une borne inférieure du berceau à la porte d'usine.
Indicateurs, méthode EF 3.1
Pour 1 processed epi-wafer, 3-inch equivalent (≈4560 mm²), ready for die singulation. Intervalle à 95 % : incertitude pedigree seule, donc étroit par construction ; il ne couvre pas la dispersion réelle des procédés.
| Indicateur | Valeur | Unité | Intervalle à 95 % |
|---|---|---|---|
| Changement climatique | 17,64 | kg CO2 eq | 15,43 à 20,41 |
| Acidification | 0,01947 | mol H+ eq | 0,01688 à 0,02244 |
| Eutrophisation, eau douce | 0 | kg P eq | 0 à 0 |
| Eutrophisation, marine | 5,28 × 10^-3 | kg N eq | 4,61 × 10^-3 à 6,09 × 10^-3 |
| Eutrophisation, terrestre | 0,05818 | mol N eq | 0,05079 à 0,0671 |
| Formation d'ozone photochimique | 0,0147 | kg NMVOC eq | 0,01283 à 0,01694 |
| Particules fines | 1,32 × 10^-7 | disease incidence | 1,14 × 10^-7 à 1,52 × 10^-7 |
| Ressources fossiles | 189,9 | MJ (net calorific) | 164,5 à 221,4 |
| Ressources minérales et métaux | 0 | kg Sb eq | 0 à 0 |
| Usage de l'eau | 61,12 | m3 world eq | 50,67 à 74,82 |
| Toxicité humaine, effets cancérogènes | 2,31 × 10^-10 | CTUh | 2,00 × 10^-10 à 2,71 × 10^-10 |
| Toxicité humaine, effets non cancérogènes | 2,44 × 10^-8 | CTUh | 2,09 × 10^-8 à 2,87 × 10^-8 |
| Écotoxicité, eau douce | 0,04168 | CTUe | 0,03629 à 0,04845 |
Domaine de validité
Technologie : Fab semi-conducteur GaN 200 mm (CEA LETI, données 2021, 118 étapes : préparation substrat, épitaxie MOCVD, nettoyage humide, PVD, lithographie, gravure, CMP, amincissage), transposée par équivalent surfacique 3 pouces. LED-compatible (Tech=3 : procédés et matériaux identiques, produit différent — S28+S38).
Géographie : Europe (RER) — données fab France (CEA LETI). Le mix électrique est un échange séparé : raccorder la fiche 04 (élec CN 2024) ou tout mix national pour transposer géographiquement.
Sources
- Life Cycle Assessment of GaN-on-Si 200 mm MOSc-HEMT Wafer Manufacturing (Sustainability 2024, 16, 901) (2024), MDPI Sustainability — CEA LETI, Grenoble (mesures directes en fab, données 2021) : lien
- Life-Cycle Assessment of Energy and Environmental Impacts of LED Lighting Products, Part 2: LED Manufacturing and Performance (2012), US DOE / PNNL — Scholand & Dillon, données Yole Développement / System Plus Consulting : lien
Conditions d'usage
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